[ 메디채널 관리자 기자 ] 디지털화, 도시화, e모빌리티 같은 메가트렌드로 전기 소비가 증가하면서 에너지 효율이 점점 더 중요해지고 있다.

이러한 요구에 대응하기 위해 인피니언 테크놀로지스가 신뢰할 수 있고 사용하기 쉬우며 경제적인 가격대로 최상의 성능을 제공하는 새로운 CoolSiC™ 650V 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 제품군을 출시한다고 밝혔다.

이들 제품은 인피니언의 첨단 SiC 트렌치 기술을 기반으로 하고 .XT 인터커넥션 기술을 적용한 컴팩트한 D2PAK SMD 7핀 패키지로 제공된다. 또한 △서버 △텔레콤 △산업용 SMPS △급속 EV 충전 △모터 드라이브 △태양광 에너지 시스템 △에너지 저장 △배터리 포메이션 같은 고전력 애플리케이션에 적합하다.

신제품은 더 높은 전류에서 향상된 스위칭 성능을 제공하고 최고 수준의 실리콘 디바이스 대비 80% 낮은 역 복구 전하(Qrr) 및 드레인-소스 전하(Qoss)를 제공한다. 감소한 스위칭 손실은 더 작은 시스템 크기로 고주파수 동작을 가능하게 해 더 높은 효율과 전력 밀도를 달성하도록 한다.

트렌치 기술은 우수한 게이트 산화막 신뢰성의 기반이며, 향상된 애벌랜치(avalanche) 및 단락 회로 견고성으로 가혹한 환경에서도 최대의 시스템 신뢰성을 보장한다. 이들 SiC MOSFET은 반복적 하드 정류를 사용하는 토폴로지나 고온 및 가혹한 동작에 적합하다. 온도에 대한 온저항(RDS(on)) 의존성이 매우 낮아 우수한 열 동작을 나타낸다.

게이트 대 소스 전압(VGS) 범위가 -5V~23V로 넓고 0V 턴오프 VGS와 4V 이상의 게이트-소스 임계 전압(VGS(th))을 지원하는 이번 신제품은 일반적인 MOSFET 게이트 드라이버 IC와 동작한다. 또한 양방향 토폴로지와 완전한 dv/dt 제어를 지원해 시스템 비용과 복잡성을 낮추고 통합을 수월하게 한다. .XT 인터커넥션 기술은 패키지 열 성능을 크게 향상시킨다. 표준 인터커넥션에 비해서 최대 30%까지 손실을 더 많이 소산시킨다.

새로운 CoolSiC MOSFET 650V D2PAK 7핀(TO-263-7)은 현재 주문할 수 있으며, 추가 정보는 홈페이지에서 볼 수 있다.